深圳市灿越兴电子有限公司

BFS481H6327XTSA1晶体管类型：2 NPN（双）电压-集射极击穿（值）：12V频率-跃迁：8GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz增益：20dB功率-值：175mW不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（值）：70 @ 5mA，8V电流-集电极（Ic）（值）：20mA工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT363供应商器件封装：P-SOT363-6无铅情况/RoHs：否BFS482BFS483制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)配置:Dual晶体管极性:NPN集电极—基极电压 VCBO:20 V集电极—发射极电压 VCEO:12 V发射极 - 基极电压 VEBO:2 V直流电集电极电流:0.065 A增益带宽产品fT:8000 MHz (Typ)工作温度:+ 150 C商标:Fairchild Semiconductor直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 15 mA at 8 V工作温度:- 65 CPd-功率耗散:450 mWBFS483E6327TBFS483E6327XT集电极直流电流：0.065工作温度：-65安装：Surface MountMaximum Transition Frequency ：8000(Typ)包装宽度：1.25PCB：6功率耗散：450类型：NPN欧盟RoHS指令：Compliant每个芯片的元件数：2集电极基极电压：20集电极发射极电压：12供应商封装形式：SOT-363标准包装名称：SOT-26工作温度：150包装长度：2引脚数：6直流电流增益：70@15mA@8V包装高度：0.9(Max)基地发射极电压：2封装：Tape and Reel铅形状：Gull-wingBFS483H6327XTSA1晶体管类型：2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（值）：12V频率 - 跃迁：8GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz增益：19dB功率 - 值：450mW不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）：70 @ 15mA，8V电流 - 集电极（Ic）（值）：65mA工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT363供应商器件封装：PG-SOT363-6晶体管类型：NPN直流集电极电流：65 mA集电极-发射极电压：12 V封装类型：SOT-363 (SC-88)功率耗散：450 mW直流电流增益：70晶体管配置：单集电极-基极电压：20 V发射极-基极电压：2 V工作频率：8 GHz引脚数目：6每片芯片元件数目：1尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm高度：0.8mm工作温度：-65 °C宽度：1.25mm工作温度：+150 °C长度：2mm无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHsBFS481H6327 PDF文件描述：生产厂商：厂商logo：厂商网址：PDF大小：0kbPDF页数：供参考，请参阅规格书包装：6SOT-363类型：NPN引脚数：6集电极发射极电压：12 V集电极直流电流：0.02 A直流电流增益：70@5mA@8V工作频率：8000(Typ) MHz集电极基极电压：20 V工作温度：-65 to 150 °C功率耗散：175 mW安装：Surface Mount标准包装：Tape & Reel